[发明专利]利用薄热电片生产多个器件芯片的方法有效
申请号: | 00801789.1 | 申请日: | 2000-12-21 |
公开(公告)号: | CN1142580C | 公开(公告)日: | 2004-03-17 |
发明(设计)人: | 西村真;木村健一;宫川展幸;川岛雅人;中村良光;井狩素生;高田裕司;谷口良 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L35/32;H01L27/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种利用薄热电片生产多个器件芯片的方法,包含如下步骤:形成将由硬粒子喷砂进行处理的器件基片,器件基片包含热电材料薄片,多个器件形成区,器件形成区形成在薄片两个相对的表面上,和形成在两个相对表面上的电路图形,通过原料可去除部分将每个器件形成区与相邻的器件形成区隔离;在电路图形之间建立电连接,以获得三维的电路图形,并将三维电路图形接地,从而所有器件形成区都具有相同电势;接着,通过喷砂对器件基片进行处理以去除原料可去除部分的热电材料,同时留下带有电路图形并在相邻的器件形成区之间延伸的桥路部分,从而获得器件芯片集合,其中通过桥路部分将相邻的器件芯片相连;通过去除桥路部分将器件芯片与器件芯片集合分离。 | ||
搜索关键词: | 利用 热电 生产 器件 芯片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种由热电材料的基片生产多个器件芯片的方法,其特征在于包含如下的步骤:首先,形成将通过硬粒子喷砂而进行处理的器件基片,所述器件基片包含热电材料的薄片,多个器件形成区,每个区都具有一个电极,所述多个器件形成区形成在薄片的两个相对的表面上,和形成在两个相对表面上的用于将所述电极进行电连接的电路图形,通过原料可去除的部分将每个所述器件形成区与相邻的器件形成区隔离;在形成在器件基片的两个相对表面上的所述电路图形之间建立电连接,以获得三维的电路图形,并将三维电路图形接地,从而器件基片上的所有的所述器件形成区都具有相同的电势;接着,通过所述喷砂对具有三维电路图形的所述器件基片进行处理以去除原料可去除部分的热电材料,同时留下上面带有电路图形并在相邻的器件形成区之间延伸的桥路部分,从而获得器件芯片集合,其中通过桥路部分将相邻的器件芯片相连;接着,通过去除桥路部分将器件芯片与器件芯片集合分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造