[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件，其能够改善脉动抑制特性，并降低工作电压。所述半导体器件包括电源电路，其位于输入端和内部电路之间以便在它们之间实现连接，所述电源电路具有晶体管Q₄₁，用于向每个内部电路提供驱动电压，并包括另一个晶体管Q₄₄，用于响应由所述参考电压发生器电路对其基极提供的参考电压的量值和对其发射极提供的驱动电压的量值而从中通过电流。由晶体管Q₄₂，Q₄₃和电阻R₅构成的电路部分根据通过晶体管Q₄₄的电流控制流过晶体管Q₄₁的电流，使得驱动电压可以设置为比所述参考电压大约高出晶体管Q₄₄的基极和发射极之间的正向电压量值的一个电压值。

主权项

1一种半导体器件，包括：和外部电源相连的输入端(1)；参考电压发生器电路(5)和误差放大器(6)，作为所述半导体器件的内部电路；以及位于所述输入端(1)和所述参考电压发生器电路(5)及误差放大器(6)之间以便在它们之间实现连接的电源电路(4a)，所述电源电路(4a)具有其发射极被连接至所述输入端(1)的第一晶体管(Q41)，用于向所述参考电压发生器电路(5)及误差放大器(6)提供驱动电压，以及其发射极被连接至所述第一晶体管(Q41)的集电极的第二晶体管(Q44)，用于响应由所述参考电压发生器电路(5)输出并提供至其基极的参考电压的量值和提供至其发射极的驱动电压的量值而从中通过电流，其中所述驱动电压设置为低于供给所述输入端(1)的电压，但高于由所述参考电压发生器电路(5)输出的参考电压的一个电压值。