[发明专利]不易失存储器无效
申请号: | 00802054.X | 申请日: | 2000-09-08 |
公开(公告)号: | CN1156007C | 公开(公告)日: | 2004-06-30 |
发明(设计)人: | 大塚洋一;曾根纯一;蔡兆申;中村泰信;安井孝成 | 申请(专利权)人: | 科学技术振兴事业团;日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/105;H01L29/66;H01L29/788 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马娅佳;穆魁良 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 实现器件的提高可靠性、降低消耗电力、高速动作。如果在源极(1)·漏极(2)间给出某个偏置电压并使栅极电压变化,则按照在岛电极(3)内量化的静电能级,在源极(1)·漏极(2)间离散地流过电流。此时的源极(1)·漏极(2)间电流的通·断可以通过在栅极上施加1/2单元电荷来进行。如果靠栅极电压在铁电层(6)上引发极化,则其电场加在岛电极(3)上。可以高灵敏度地测定此时的源极(1)·漏极(2)间的电流。电荷的保持靠铁电层6内的极化来进行,即使去除电源也能够保持储存内容。 | ||
搜索关键词: | 不易 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种不易失存储器,设有:栅极,配置在前述栅极上的铁电层,以及配置在前述铁电层上,分别经由绝缘层夹在源极和漏极之间,与前述栅极电气上结合的岛电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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