[发明专利]生产单同位素硅Si28的方法无效
| 申请号： | 00802205.4 | 申请日： | 2000-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN1327434A | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | G·G·德夫亚特卡;A·M·普罗克霍罗夫;E·M·迪亚诺夫;A·V·古瑟夫;A·D·布兰诺夫;P·G·赛尼科夫;H－J·波尔 | 申请（专利权）人： | 俄罗斯科学院高纯材料化学研究所 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 孙爱 |
| 地址： | 俄罗斯联邦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及冶金学领域,特别是由富含Si28的无机化合物,主要是四氟化硅来生产单同位素硅的方法。本方法包括将四氟化硅在高温下还原,特征在于通过在180－200℃的温度下将四氟化硅用氢化钙还原的方法来制备硅烷,然后将得到的硅烷在800－900℃的温度下进行高温分解处理,且单同位素硅沉积到基体上的速度不超过0.5mm/小时。单同位素硅的沉积速度主要通过改变硅烷的供应速度来调节。沉积过程在一个预先得到的单同位素硅基体上进行,或者分两个阶段进行,第一阶段是在一个难熔基体上,例如一个熔点高于硅沉积温度的金属基体进行沉积,然后,将得到的单同位素硅棒与基体脱离,继续在第一阶段得到的单同位素硅棒上进行沉积操作。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 同位素 si28 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由富含Si28的无机化合物，主要是四氟化硅来生产单同位素硅Si28的方法，包括将四氟化硅在高温下还原，其特征在于由四氟化硅生成硅烷，将硅烷进行高温分解处理，优选800-900℃的温度下处理，且单同位素硅沉积到基体上的速度不超过0.5mm/小时。
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