[发明专利]受光器件阵列和受光器件阵列芯片无效

专利信息
申请号: 00802271.2 申请日: 2000-10-11
公开(公告)号: CN1327617A 公开(公告)日: 2001-12-19
发明(设计)人: 驹场信幸;田上高志;楠田幸久;有马靖智 申请(专利权)人: 日本板硝子株式会社
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L31/105
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供可以减小受光器件阵列的尺寸和节距,并可以减小对相邻的受光器件的串扰的受光器件阵列。它是一种对半导体层层叠构成的受光器件进行隔离刻蚀的台面式构造的受光器件阵列,在n型InP衬底上,叠层n型InP层、i型InGaAs层(光吸收层)和p型InP层(窗口层),对InGaAs层和p型InP层进行刻蚀使器件间进行隔离,覆盖绝缘膜,在各个受光器件的p型InP层上形成p型欧姆电极,在n型InP衬底的背面上形成共通的n型欧姆电极。
搜索关键词: 器件 阵列 芯片
【主权项】:
1.一种把多个由pin光电二极管构成的受光器件排列起来的受光器件阵列,其特征是:上述pin光电二极管,具备:n型半导体衬底,在上述n型半导体衬底上层叠的n型半导体层、i型半导体层、p型半导体层,上述p型半导体层和上述i型半导体层,用相邻的p型半导体层和i型半导体层和隔离沟隔离开来,在上述p型半导体层上设置的p型电极,以及在上述n型半导体衬底的背面上设置的共通的n型电极。
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