[发明专利]受光器件阵列和受光器件阵列芯片无效
申请号: | 00802271.2 | 申请日: | 2000-10-11 |
公开(公告)号: | CN1327617A | 公开(公告)日: | 2001-12-19 |
发明(设计)人: | 驹场信幸;田上高志;楠田幸久;有马靖智 | 申请(专利权)人: | 日本板硝子株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/105 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供可以减小受光器件阵列的尺寸和节距,并可以减小对相邻的受光器件的串扰的受光器件阵列。它是一种对半导体层层叠构成的受光器件进行隔离刻蚀的台面式构造的受光器件阵列,在n型InP衬底上,叠层n型InP层、i型InGaAs层(光吸收层)和p型InP层(窗口层),对InGaAs层和p型InP层进行刻蚀使器件间进行隔离,覆盖绝缘膜,在各个受光器件的p型InP层上形成p型欧姆电极,在n型InP衬底的背面上形成共通的n型欧姆电极。 | ||
搜索关键词: | 器件 阵列 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种把多个由pin光电二极管构成的受光器件排列起来的受光器件阵列,其特征是:上述pin光电二极管,具备:n型半导体衬底,在上述n型半导体衬底上层叠的n型半导体层、i型半导体层、p型半导体层,上述p型半导体层和上述i型半导体层,用相邻的p型半导体层和i型半导体层和隔离沟隔离开来,在上述p型半导体层上设置的p型电极,以及在上述n型半导体衬底的背面上设置的共通的n型电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的