[发明专利]利用绝缘衬垫防止窄器件中的阈值电压的滚降无效
| 申请号： | 00802463.4 | 申请日： | 2000-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1384976A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | T·郑;F·诺里 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法,该方法使半导体器件的沟槽中的氧化凹槽最小。在一个实施例中,围绕浅沟槽绝缘区中的沟槽上边角氧化物形成氮化物衬垫,保护边角氧化物在工艺中不被蚀刻。沟槽中的氧化凹槽引起沟槽的上边角处的强电场和晶体管的Vt滚降,这是不希望发生的。根据一个实施例,掩蔽填充有HDP氧化物并进行平面化的STI区。掩膜基本上覆盖HDP氧化物并与氮化物的至少一部分重叠。蚀刻去除氮化物的暴露区,在HDP氧化物填充的两个侧边形成氮化物衬垫。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 绝缘 衬垫 防止 器件 中的 阈值 电压 | ||
【主权项】：
1.半导体衬底中形成绝缘衬垫的方法，该半导体衬底具有至少一个由绝缘区隔离的浅沟槽区，包括：在衬底上淀积电介质并基本上填充沟槽区并且覆盖绝缘区；使电介质平面化以使电介质基本上与绝缘区共面；掩蔽设置在沟槽区上的电介质，基本上覆盖电介质并与绝缘区的至少一部分重叠；以及去除氮化物区的暴露部分，形成绝缘衬垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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