[发明专利]具有铁电薄膜的铁电存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 00802711.0 | 申请日： | 2000-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1337068A | 公开（公告）日： | 2002-02-20 |
| 发明（设计）人： | 纳拉杨·索拉亚鹏;维克拉姆·乔希;卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约;拉里·D·麦克米伦;林慎一郎;大槻达男 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/92;H01L21/8247;H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种涂层,将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122),在氧环境中不超过300℃的温度下,在热板上烘焙5分钟,然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时,以便形成厚度不超过90nm的层状超点阵材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128),和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是锶铋钽,母体包含u摩尔当量的锶,v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽,其中0.8≤u≤1.0,2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 薄膜 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电集成电路存储器单元(100)包括：包含铁电薄膜(124)的铁电存储元件(128)和用于给所述铁电薄膜施加电场的电极(126)，所述存储器单元的特征在于所述铁电薄膜具有90纳米或更薄的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
