[发明专利]电子元件及含在其中的保护结构的应用无效
| 申请号： | 00802812.5 | 申请日： | 2000-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1150622C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | H·奥波尔卡;P·－W·冯巴斯尔;T·谢特;R·格罗斯曼;C·彼德斯;R·菲施巴赫;A·盖曼;T·罗斯特克;D·西普拉克;T·萨泽;R·戈尔纳;J·比尔纳;M·梅尔兹尔;R·哈姆纳;M·威特 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06K9/00;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子元件，具有一个在衬底(10)上构成的介电层(2)、在所述介电层上构成的导电面(4；14)，和导电的保护结构(6)，所述保护结构如此地安排在导电面(6)上面的平面中，使导电面(4；14)不由保护结构(6)(完全)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 中的 保护 结构 应用 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件，具有一个在衬底(10)上构成的介电层(2)、在所述介电层上构成的导电面(4；14)，和导电的保护结构(6)，所述保护结构安排在导电面上面的平面中，使得导电面(4；14)不完全由保护结构(6)覆盖，并且其中保护结构(6)沿在导电面(4；14)之间构成的中间空间区域(Z)安排，其特征在于，保护结构(6)条形地斜对中间空间区域(Z)的展开方向分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00802812.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子元件装配的基片和采用该基片的压电谐振元件
- 下一篇：半导体电路装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
