[发明专利]钨掺加层坩埚及其制造方法无效
| 申请号： | 00803451.6 | 申请日： | 2000-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1339072A | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 理查德·J·菲利普斯;史蒂文·J·凯尔特纳 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 孙征 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示一种用于制造石英坩埚的方法,在此坩埚内表面,外表面或是内、外两表面具有一个钨掺加层。坩埚的一个或多个表面暴露于一蒸汽钨源,将钨退火渗入到坩埚表面,而生成一个钨掺加层,起到与用于拉晶过程的无泡层相同的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 钨掺加层 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用来制造具有钨掺加层的石英坩锅的方法，此坩埚具有一内表面和一外表面，此方法包括将钨涂镀到坩埚的表面上并将钨扩散到坩埚的表面里。
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