[发明专利]用于存储信息的微电子器件及其方法

摘要

构成本发明基础的基本发现在于多种氧化物物质,即用于微电子和电子电路的材料,特别是结合了电阻转换现象和内建存储器的半导体芯片。多种物质中的一个较好的物质是BaxSr1－xTiO3,0≤x≤0.7,掺杂了铬0%－5%,0%－1%更好,最好是大约0.2%。当所述物质用于例如电容器状结构的介电层时,随着施加的电压脉冲,它保持高或低导电率状态。通过不同的电阻值,即通过将高阻态与逻辑“0”相结合,将低阻态与逻辑“1”相结合,能够存储数字信息。这样存储的信息通过测量漏电流可以被读出,甚至可以实现多值转换。

主权项

1.一种微电子器件，在电极(12，16)之间的区(14)具有可转换的欧姆电阻，其中通过施加能产生不同态(1，2，3，4)的不同的电压脉冲(5，5.1，6，6.1，7，8)，在所述区(14)中的欧姆电阻在所述不同的态(1，2，3，4)之间可逆的转换，所述区(14)由包括成分Ax、By和氧Oz的物质形成，在该物质中，所述成分A是碱金属(IA族)元素，或碱土金属(IIA族)元素、或稀土元素、或钪、或钇，所述成分B是过渡金属，该过渡金属是IB族至VIII族之一的元素，或IIIA族、IVA族、VA族之一的元素，所述物质包括过渡金属之一或其结合的掺杂物，总的掺杂量大于0％小于5％。