[发明专利]抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件

摘要

在晶片4的抛光以前，把具有与晶片4一样的形状和尺寸的反射物体替换晶片4固定在抛光头2上。在抛光底盘13中的窗口15和反射物体之间放入抛光剂5，并且用与晶片4的抛光期间施加的压力一样的压力把反射物体压向抛光底盘13。在这样的状况下，用从光源31发射的探测光经由窗口15照射反射物体，并且从传感器43获得反射光的光谱强度作为参考光谱。在晶片4的抛光期间，从传感器43陆续获得从晶片4反射的光的光谱强度作为一些测量光谱。测定这些测量光谱对上述的参考光谱的强度比率，并根据这样的强度比率监视晶片4的抛光状态。

主权项

1.一种抛光状态监视方法，其特征在于(a)其中在抛光期间监视通过在抛光底盘和抛光物之间放入抛光剂的状况下在上述的抛光底盘和上述的抛光物之间施加负载，以及通过使[抛光底盘和抛光物]相互相对移动来抛光的上述的抛光物的抛光状态，和(b)其中(i)用从光源射出的探测光照射上述的抛光物、(ii)在抛光期间获取是由上述的抛光物反射的光的光谱的测量光谱，和(iii)在抛光期间根据上述的测量光谱监视上述的抛光状态，[1]或是在上述的抛光物的抛光以前或是在上述的抛光物的抛光期间用从上述的光源射出的光照射特定的反射物体，[2]获取是由上所述的反射物体反射的光的光谱的参考光谱，[3]在上述的抛光物的抛光期间根据上述的测量光谱对上述参考光谱的关系曲线监视上述的抛光状态的抛光状态监视方法。