[发明专利]存储单元装置及其制法无效
| 申请号： | 00804343.4 | 申请日： | 2000-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1341281A | 公开（公告）日： | 2002-03-20 |
| 发明（设计）人： | S·施瓦茨 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在层平面内具有环形截面的磁致电阻元件(11)的存储单元装置内,提供彼此交叉的第一导线(12)和第二导线(13)。磁致电阻元件(11)安排在第一导线(12)和第二导线(13)之间的交叉区内。第一导线(12)和/或第二导线至少具有在平行于层平面指向的电流分量占优势的第一导线部分(131),和在垂直于层平面指向的电流分量占优势的第二导线部分(132)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 装置 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.存储单元装置，—包含在层平面内具有环形截面和垂直于层平面彼此重叠的层元的至少一只磁致电阻元件，—包含至少一条第一导线和至少一条第二导线，—其中，第一导线与第二导线交叉，磁致电阻元件安排在第一导线和第二导线之间的交叉区域内，—其中，在交叉区内有关层平面的第一导线和第二导线安排在磁致电阻元件的不同侧面上，—其中，第一导线和/或第二导线至少具有第一导线部分，其内平行于层平面指向的电流分量占优势，并具有第二导线部分，其内垂直于层平面指向的电流分量占优势。
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