[发明专利]CMOS工艺中的同轴互连的制作方法无效
| 申请号： | 00804360.4 | 申请日： | 2000-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1342330A | 公开（公告）日： | 2002-03-27 |
| 发明（设计）人： | M·维林;S·波斯拉;C·T·加布里尔;M·米舍洛夫 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种在介电层中制作同轴互连线的方法。此方法包括在介电层中确定沟槽,然后在沟槽中制作屏蔽金属化层。在制作屏蔽金属化层之后,在屏蔽金属化层中淀积共形氧化物层。然后在共形氧化物层中制作中心导体。一旦制作了中心导体,就在中心导体上淀积填充氧化物层。然后在填充氧化物层上制作与屏蔽金属化层接触的帽金属化层。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 中的 同轴 互连 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种在介电层中制作同轴互连线的方法，它包含：在介电层中制作沟槽；在沟槽中制作屏蔽金属化层；在屏蔽金属化层中制作共形氧化物层；在共形氧化物层中制作中心导体；在中心导体上制作填充氧化物层；以及在填充氧化物层上制作与屏蔽金属化层接触的帽金属化层。
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