[发明专利]介质温度化学汽相沉积方法无效
| 申请号： | 00804441.4 | 申请日： | 2000-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1342216A | 公开（公告）日： | 2002-03-27 |
| 发明（设计）人： | K·E·安德考费尔 | 申请（专利权）人： | 钴碳化钨硬质合金公司 |
| 主分类号： | C23C16/36 | 分类号： | C23C16/36;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明包括一种方法,该方法通过MTCVD工艺使至少一个基体涂有含碳氮化物的涂层,该方法包括在反应室(10)内把一个或者多个基体(52)加热到反应温度,然后把沉积工艺气体加入到反应室(10)中,该沉积工艺气体包括大约1到大约30%卤化氢和预定量的碳/氮源、金属－卤素化合物、H2和任选的N2,因此在该一个或者多个基体(52)的表面上沉积一层含碳氮化物的涂层(48)。本发明还包括通过MTCVD工艺使至少一个基体(52)涂有含碳氮化物的涂层(48)的实施方案,该方法包括在把沉积工艺气体加入到反应室内的期间,在反应室(10)内保持温度梯度。可通过该方法来施加的含碳氮化物的涂层(48)包括,Ti、Hf、Nb、V、Zr、Ta、这些金属的混合物、这些金属的合金的碳氮化物、氧碳氮化物和硼碳氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 温度 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MTCVD工艺，它包括这些步骤：a)在反应室内把至少一个基体加热到反应温度，所述至少一个基体具有表面；及b)把沉积工艺气体加入到所述反应室中，该沉积工艺气体包括大约1到大约30％卤化氢和预定量的碳/氮源、金属-卤素化合物及H2，因此在所述至少一个基体的所述表面上沉积含碳氮化物的涂层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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