[发明专利]偏转轭磁芯及其制造方法无效

专利信息
申请号: 00804444.9 申请日: 2000-03-14
公开(公告)号: CN1342326A 公开(公告)日: 2002-03-27
发明(设计)人: 岩谷仁志;伊藤信一郎;安保实;小野雅启 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01J29/76 分类号: H01J29/76;H01J9/236
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 刘兴鹏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种偏转轭磁芯,其通过最优化磁芯截面积与磁通分布密度之间的关系而防止出现磁饱和。用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的偏转轭磁芯具有一个从颈部3的开口端延伸到锥部1的开口端的孔2。锥部1处的孔2向着锥部1的开口端加宽。锥部1的开口端处的外形具有沿短轴X的短直径Dx1和沿长轴Y的长直径Dy1。在从上述短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内,在一个平行并穿过上述磁芯轴线O1的平面上的磁芯截面积最大。
搜索关键词: 偏转 轭磁芯 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种偏转轭磁芯,其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管,并且具有一个从颈部向着锥部加宽的孔;上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径,其特征在于:在从上述短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内,在一个平行并穿过上述磁芯轴线的平面上的磁芯截面积最大。
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