[发明专利]测量硅晶片的波度的方法与系统无效
| 申请号： | 00804681.6 | 申请日： | 2000-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1343302A | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | 戴尔·A·维特 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/30 | 分类号： | G01B21/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种测量硅晶片波度的方法与系统。一个存贮器贮存代表晶片上许多位置处的晶片形状数据而一个处理器处理这些数据以确定一个波度参数。处理器确定一个作为这些数据的一个函数的检查表面并计算检查表面上许多位置处的检查表面与一个第一参考平面之间的偏差。处理器还确定晶片上许多局部区域并计算每个区域的检查表面上许多位置处的检查表面与一个第二参考平面之间的偏差。第二参考平面是每个区域的检查表面与第一参考平面之间的计算偏差的一个函数。然后处理器确定每个区域的一个作为检查表面与第二参考平面之间的计算偏差中的最大方差的波度参数。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 晶片 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种测量硅晶片波度的方法，所述晶片有一个顶表面与一个底表面，所述方法包括步骤：在晶片的至少一个表面上测量许多位置处的形状数据，所述形状数据代表晶片的表面变化；确定晶片的一个作为测量的形状数据的函数的检查表面；在检查表面上许多位置处计算检查表面与一个第一参考平面之间的偏差；确定一个作为计算的偏差中的局部变化的函数的波度参数以考核晶片的表面变化。
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