[发明专利]具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置

摘要

本发明涉及一种半导体只读存储装置,其中,为槽式接触的基片触点(9)、金属导轨(7)和字线(WL)多晶硅之间的穿孔接触(11)、以及字线(WL)的中断(10)使用统一的中间单元(16),且这些中间单元沿着所述的字线(WL)交替地镜像布置。

主权项

1.半导体只读存储装置，它具有一个半导体基片、布置于该半导体基片的存储单元区内并由多个晶体管(Tr1，Tr2，…)组成的许多存储单元、由多晶硅组成的字线(WL)、以及平行于该字线(WL)且通过中间绝缘体与该字线隔开的金属导轨(7)，其中，所述的字线(WL)在沿其长度方向经过第一数量的存储单元之后被中断(参见10)，然后通过所述的金属导轨(7)修复(参见11)，而且所述的半导体基片在经过第二数量的存储单元之后可以通过基片触点(9)施加以参考电位(Vss)，其特征在于：-对于垂直于字线(WL)长度方向而直接毗邻的、且在该字线(WL)长度方向上周期性地重复的两个半个中间单元(16)，在第一半个中间单元内中断所述字线(WL)的多晶硅(参见10)并设置一个基片触点(9)，而在第二半个中间单元内实现所述字线(WL)的多晶硅修复(参见11)，而且-在所述毗邻的半个中间单元内交替地互换所述的第一和第一半个中间单元。