[发明专利]自对准通道结构中的气隙电介质无效
| 申请号： | 00804947.5 | 申请日： | 2000-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1343372A | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | S·波斯拉 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/764 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周备麟,黄力行 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种高速的互连结构和制备该结构的方法。该互连结构包括一具有多条敷金属线(120)的第一金属敷层和一界定在该第一金属敷层上的导电通道的金属敷层。将该导电通道的金属敷层构形成能界定自对准的导电通道(140)。在该第一金属敷层和该导电通道的金属敷层的上界定一非保形的氧化物层(200),以便使气隙(202)处于该多条敷金属线(120)之间。然后在该非保形氧化物(200)的上界定一覆盖氧化物层(204)。在这实施例中,在界定下一金属敷层之前可先进行CMP作业以便使导电通道的上表面暴露出来。应该指出,在没有与导电通道不对准有关的问题的情况下界定气隙(202)。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 通道 结构 中的 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包括：一第一金属敷层，具有多条敷金属线；一导电通道的金属敷层，界定在该第一金属敷层面，该导电通道金属敷层限定一些自对准的导电通道；一非保形氧化物层，界定在该第一金属敷层和该导电通道的金属敷层上，在该多条敷金属线之间界定一些气隙；以及一覆盖氧化物层，界定在非保形氧化物上。
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