[发明专利]磁阻随机存取存储器的写/读结构无效
| 申请号： | 00804980.7 | 申请日： | 2000-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN1145168C | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | W·雷斯纳;S·施瓦茨 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MRAM的写/读结构，其中在读取过程中采用了一些电阻桥，在该电阻桥内将具有已知磁化状态的存储单元同需测量的存储单元进行比较。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.经字线(WL)和位线(BL)进行寻址的MRAM的写/读结构，具有多个铁磁存储单元(1)，这些存储单元布置在构成矩阵行列的字线与位线的交叉点.所述存储单元分别由两个用隔离层(4)隔开的铁磁层(2，3)组成，并且所述存储单元在所述字线和位线之间的电阻值分别大于所述字线(WL)或位线(BL)的电阻值，并取决于所述铁磁层(2，3)的磁化状态，其特征在于：所述的铁磁存储单元分别被连接在所述的字线之一和所述的位线之一之间，至少一个参考存储单元具有已知的磁化状态，而且借助电阻桥可确定每个存储单元(1)与所述参考存储单元的电阻比。
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