[发明专利]生长处理中控制硅晶体直径的方法与装置无效
| 申请号： | 00805352.9 | 申请日： | 2000-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1344335A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·H·福尔霍夫;斯蒂芬·L·基伯尔 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种随着从熔体中拉升晶棒通过改变熔体的温度以控制晶棒直径的方法与装置。晶棒以基本上按照预定的速度分布图的目标速率从熔体中拉升。一个温度模型代表响应供给加热熔体的加热器的功率变化的熔体的温度变化。在产生代表目标熔体温度的温度设定点时,确定晶棒的目标直径与测量直径之间的误差并对此误差信号进行比例积分导数(PID)控制。PID控制器产生一个作为误差信号的函数的温度设定点。依次,温度模型确定一个作为由PID控制器产生的温度设定点的函数的供给加热器的功率的功率设定点从而按照此功率设定点调节供给加热器的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 处理 控制 晶体 直径 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于配合按照切氏处理生长单晶棒的晶体生长装置的方法，所述晶体生长装置有一个内装用来生长晶棒的半导体熔体的加热的坩埚，所述晶棒生长在一个从熔体中拉升的籽晶上，所述方法包括以下步骤：确定一个代表响应供给加热熔体的加热器的功率变化的熔体温度变化的温度模型；以目标速率从熔体中拉升晶棒，所述目标速率基本上按照一个预定的速度分布；产生一个代表晶棒的目标直径与测量直径之间误差的信号；对此误差信号进行比例积分导数(PID)控制并产生一个作为它的函数的温度设定点，所述温度设定点代表熔体的一个目标温度；从作为由PID控制产生的温度设定点的函数的温度模型确定供给加热器功率的功率设定点；与根据功率设定点调节供给加热器的功率从而改变熔体的温度以控制晶棒的直径。
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