[发明专利]具有分别含有一个铁电存储器晶体管的存储单元的集成存储器无效
| 申请号： | 00805493.2 | 申请日： | 2000-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1145170C | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | H·赫尼格施米德;M·乌尔曼 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑立柱;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 集成存储器的存储单元分别含有一个铁电存储器晶体管(T)。位线(BLi)和控制线(Ci)垂直与字线(WLi)分布。每个存储器晶体管(T)的可控制区间使位线(BLi)中一个与控制线(Ci)中一个连接。每个存储器晶体管(T)的控制电极与字线(WLi)中一个连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分别 含有 一个 存储器 晶体管 存储 单元 集成 | ||
【主权项】：
1.集成存储器，具有存储单元，该存储单元分别具有一个铁电存储器晶体管(T)，其控制电极包含一个铁电层，该层至少可以接受两个不同的极化状态，具有字线(WLi)，其分布在第一方向上，具有位线(BLi)，其分布在垂直于第一方向的第二方向上，具有控制线(Ci)，在该存储器中每个存储器晶体管(T)的可控制区间使位线(BLi)中的一个与控制线(Ci)中的一个连接，在该存储器中每个存储器晶体管(T)的控制电极与字线(WLi)中的一个连接，并且在该存储器中控制线(Ci)分布在第二方向上，其特征在于，控制线(Ci)中的一个分别布置在位线(BLi)中的每两个位线之间，控制线分别经过多个存储器晶体管(T)的可控制区间与位线连接，平行于位线(BLi)和控制线(Ci)布置存储器晶体管(T)的可控制区间，并且与相同位线(BLi)连接的存储器晶体管(T)分别具有公共的源极区/漏极区。
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