[发明专利]带有应变补偿层的半导体结构及其制备方法无效
| 申请号： | 00805556.4 | 申请日： | 2000-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1347581A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;马场考明;詹姆斯S·哈里斯Jr. | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01L29/15;H01L31/0352;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国平 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构,该结构包括包含许多组成层对的应变补偿的超晶格层,其中第一组成层包含处于张应力下的材料,而第二组成层包含处于压应力下的材料,以致使,相邻层的应力互相补偿,并使缺陷的产生减少。对材料适当的选择提供了增加的带隙和在至少某些装置中的光学限制。所述结构特别适合于激光二极管、光电二极管、光电晶体管、和异质结场效应晶体管和双极晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 应变 补偿 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：第一导电型的基材，和包含许多第一和第二组成层对的第一超晶格层；所述第一组成层包含处于张应力下的材料，而所述第二组成层包含处于压应力下的材料；在其界面处压应力和张应力相互补偿。
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