[发明专利]接续氢化物汽相外延无效
| 申请号： | 00805681.1 | 申请日： | 2000-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1350603A | 公开（公告）日： | 2002-05-22 |
| 发明（设计）人： | 格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 | 申请（专利权）人： | CBL技术公司;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B25/10;C30B25/14;C30B29/38;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 严舫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在非天然基片上形成III－V化合物的相对厚外延膜的方法,涉及在生长温度下在基片上接续形成多层外延层。在外延生长重新开始之前,通过将基片和每一接续生长的外延层冷却到亚生长温度,而将样品中的应力(由于基片与外延层之间的热学不匹配性所致)减弱。接续外延生长与系统的蚀刻相结合所提供的外延层不仅具有低的碎裂倾向,而且还改善了表面形态。接续氢化物汽相外延,利用HCl作为源气体和蚀刻剂,能将接续沉积和系统蚀刻结合成为单一的过程。 | ||
| 搜索关键词： | 接续 氢化物 外延 | ||
【主权项】：
1.一种在非天然基片上进行III-V化合物的接续外延生长来提供外延薄膜的方法，它包括以下各步骤：a)将基片安置在HVPE反应器中；b)通过HVPE在生长温度下在基片上形成外延层来提供一种III-V/基片样品；c)从反应器中取出III-V/基片样品；d)将蚀刻气体通过HVPE反应器；e)将III-V/基片样品安置在HVPE反应器中；f)通过HVPE在生长温度下在III-V/基片样品上形成外延层；g)连续重复所述步骤c)至f)，直到外延膜达到所需要的厚度；以及h)将外延膜冷却至环境温度，其中当冷却至环境温度时，多层外延膜仍然保持完整。
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