[发明专利]光电变换功能元件及其制造方法无效
| 申请号： | 00806011.8 | 申请日： | 2000-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1346518A | 公开（公告）日： | 2002-04-24 |
| 发明（设计）人： | 佐藤贤次;荒川笃俊;花房干夫;野田朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本能源 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/322;H01L21/385;H01S5/327 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 采用包含周期表第12(2B)族元素和第16(6B)族元素的化合物半导体晶体基片、在使用位错密度或淀积物密度较低的基片的同时,通过让使第一导电型的上述基片成为第二导电型基片的元素从基片表面热扩散而形成pn结,在上述基片的前表面和背面形成电极,遂制成光电变换功能元件。此外,在基片前表面设置含有使第一导电型的所述基片成为第二导电型基片的元素的扩散源,在阻止形成对在扩散过程中所述元素在所述基片上形成的杂质能级进行补偿的缺陷的同时,通过上述扩散源吸收基片表面的杂质。由此,可对II－VI族化合物半导体的导电类型实施控制,从而使发光特性优良的光电变化功能元件的稳定制造得以实现。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 变换 功能 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用包含周期表第12(2B)族元素和第16(6B)族元素的化合物半导体晶体基片的光电变换功能元件，其中，通过以下方法制造所述光电变换功能元件：提供具有低位错密度或夹杂物密度的基片；通过从所述基片前表面热扩散使第一导电类型的所述基片变为第二导电类型基片的元素来形成pn结；以及在所述基片的前表面和背面形成电极。
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