[发明专利]改进的静电放电二极管结构

摘要

一种ESD二极管对电路进行抗静电放电(ESD)保护。此ESD二极管具有4个相邻的区域。借助于对半导体衬底进行掺杂使之具有P型导电而形成第一和第三区域。借助于对半导体衬底进行掺杂使之具有N型导电而形成第二和第四区域。当第四区域被连接到电路的正电源线时,第一区域被用来连接到被保护电路的信号端子。当第一区域被连接到电路的地线或负电源线时,第四区域被用来连接到信号端子。

主权项

1.一种对电路(110)进行静电放电保护的设备(210)，它具有4个相邻的区域，所述设备(210)包含：由p型导电的半导体衬底构成的第一区域(310)和第三区域(330)；由n型导电的半导体衬底构成的第二区域(320)和第四区域(340)；其中，当所述第四区域(340)被连接到所述电路(110)的正电源线(140)时，所述第一区域(310)被用来连接到所述电路(110)的信号端子(115和120)，且其中，当所述第一区域(310)被连接到所述电路的地线(135)和负电源线之一时，所述第四区域(340)被用来连接到所述信号端子(115和120)。