[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 00807221.3 | 申请日： | 2000-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1349663A | 公开（公告）日： | 2002-05-15 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;高桥邦方;楠本修;北畠真;上野山雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/338;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在SiC、GaN、GaAs等的衬底3上,交互、叠层生长厚度50nm左右的未掺杂层22和厚度薄到能发挥量子效应程度(例如10nm左右)的n型掺杂层23、形成有源区30。因n型掺杂层23的量子效应产生的次能级使载流子能分布到未掺杂层22上,由于在杂质少的未掺杂层22中杂质散射减少,能够得到高的载流子迁移率,与此同时,当有源区全体耗尽化时,利用载流子从有源区30消失的现象,因未掺杂层22能够得到大的耐压值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，在衬底上设有能起到作为有源元件一部分功能的有源区，其特征在于：所述有源区设立在所述衬底上，由作为载流子渡越区域功能的至少一个第1半导体层和至少1个第2半导体层叠层生长构成，第2半导体层含有比所述第1半导体高浓度的载流子用杂质、膜厚比所述第1半导体层薄，薄到由于量子效应载流子能够渗入所述第1半导体层。
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