[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 00807405.4 | 申请日： | 2000-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1165073C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 桥本伸;岸田刚信;江头恭子;畑良文;西胁彻;田中知哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/288;H01L21/44;H01L21/445;H01L29/40;H01L29/43;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，在半导体层表面附近的区域分布非金属元素后，在半导体层上沉积金属膜。然后，对金属膜实施热处理使构成半导体层的元素和构成金属膜的金属反应，以在半导体层的表面外延生长半导体金属层间化合物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在半导体层表面附近的区域中，在基片内部的方向分布非金属元素的工序；在所述的半导体层上沉积金属膜的工序；通过对所述金属膜实施热处理使构成所述半导体层的元素和构成所述金属膜的金属反应、在所述半导体层的表面外延生长半导体金属层间化合物层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
