[发明专利]腐蚀增强层有效
申请号: | 00807546.8 | 申请日: | 2000-05-12 |
公开(公告)号: | CN1350658A | 公开(公告)日: | 2002-05-22 |
发明(设计)人: | P·V·纳加拉卡;J·T·理查德;L·S·希思;C·A·基乌里;R·森;J·拉姆;D·W·麦卡锡 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;B41C1/10;G02F1/1343 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种在制造基本透明电极结构中有用的可腐蚀层状成象介质,它包括衬底、高折射率金属氧化物层、可腐蚀金属导电层、高折射率金属氧化物导电层和腐蚀增强层。腐蚀增强层的红外吸收大于高折射率金属氧化物导电层的红外吸收,而其红外反射率小于所述高折射率金属氧化物导电层的红外反射率。层状成象介质中存在腐蚀增强层可以降低介质的曝光阈值并改善腐蚀精度,在制造LCD电极图形时,这两项优点将最终共同产生一个更可靠的电学结构,不易发生不希望有的“短路”。 | ||
搜索关键词: | 腐蚀 增强 | ||
【主权项】:
1.一种对制造基本上透明的电极结构有用的可腐蚀层状成象介质,其特征在于,包括:(a)衬底;(b)高折射率金属氧化物层;(c)可腐蚀金属导电层;(d)高折射率金属氧化物导电层;和(e)腐蚀增强层,其红外吸收大于所述高折射率金属氧化物导电层的红外吸收,其红外反射率小于所述高折射率金属氧化物导电层的红外反射率。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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