[发明专利]通过脉冲宽度调制信号控制至少一个电感性负载的方法无效
| 申请号： | 00807549.2 | 申请日： | 2000-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1415135A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 哈拉尔德·维齐希;格哈德·克内希特;托马斯·墨塞 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博施有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H02P6/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过脉冲宽度调制(PWM)信号控制至少一个电感性负载的方法，其中经一个半导体末级将负载的直流电源电压接通和切断。为了防止在通过PWM控制单元进行加载时在直流电流上产生交流电压，所述PWM控制单元包括一个由存储电容和/或存储电感以及一个半导体开关组成的附加装置。由所述PWM控制单元控制的半导体开关在PWM控制信号的脉冲间歇内，接通一个用于所述存储电容和/或存储电感的充电电路，该电路由所述直流电源电压供电。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 脉冲宽度 调制 信号 控制 至少 一个 感性 负载 方法 | ||
【主权项】：
1、通过一个PWM控制单元的脉冲宽度调制信号控制至少一个电感性负载的方法，其中，PWM控制信号的控制脉冲经一个半导体末级将负载的直流电源电压接通和切断，其特征是，所述PWM控制单元(STE)包括一个由存储电容(C)和/或存储电感(L)以及一个半导体开关(si，sp)组成的附加装置(ZE)，并且由所述PWM控制单元(STE)控制的半导体开关(si，sp)在PWM控制信号的脉冲间歇内，接通一个用于所述存储电容(C)和/或存储电感(L)的充电电路，该电路由所述直流电源电压(Ubatt)供电。
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