[发明专利]电压保护的半导体电桥发火器元件无效
申请号: | 00807585.9 | 申请日: | 2000-06-14 |
公开(公告)号: | CN1109233C | 公开(公告)日: | 2003-05-21 |
发明(设计)人: | B·马蒂尼兹-托瓦;M·C·福斯特;D·B·诺沃特尼 | 申请(专利权)人: | 恩赛-比克福德航空防卫公司 |
主分类号: | F42B3/12 | 分类号: | F42B3/12;F42B3/13 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,梁永 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体电桥发火器装置(10)具有整体电压抗熔断保护功能,该装置的电路包括第一点火引脚和一个可以选用的监测器引脚。第一点火引脚包括第一个半导体电桥该电桥具有半导体垫片(14a,14b)相互分开并用电桥(14c)连接;被喷涂了金属的接合面(16a,16b)放置在垫片(14a,14b)之上。介电层(15)被插入到第一点火引脚内,其击穿电压等于已选定的门限值电压(V↓[th])。电路中的连续监测器引脚是由一个与第一点火引脚并联的可熔断链路连接(34)或电阻器(36)组成的。 | ||
搜索关键词: | 电压 保护 半导体 电桥 火器 元件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体电桥发火器装置具有防止在低于预定门限值电压的电压下起作用的保护功能,这种发火器装置限定一个电路和包括:一种由非导电材料构成的基片;和第一半导体电桥,它包括:(a)放在基片上的多晶硅层,其尺寸和布置形式使第一和第二垫片之间具有一个间隙,其上跨接着一个用于连接第一和第二垫片的引爆电桥,电桥的尺寸和布置形式使选定特性的电流的通路能在电桥上释放能量;(b)被喷涂了金属的第一和第二接合面放置得分别与第一和第二垫片电导通接触,由此确定的电路的第一点火引脚包括被喷涂了金属的第一和第二接合面、第一和第二垫片、电桥;和(c)介电材料,它具有等于门限值电压的击穿电压,并被串联插到电路的第一点火引脚中,由此只有当施加其上的电压至少等于门限值电压时电路才闭合;第二半导体电桥与第一半导体电桥并联,第二半导体电桥被放在基片上,它包括:(a)放在基片上的多晶硅层,其尺寸和布置形式使第一和第二垫片之间具有一个间隙,其上跨接着一个用于连接第一和第二垫片的引爆电桥,电桥的尺寸和布置形式使选定特性的电流的通路能在电桥上释放能量;(b)被喷涂了金属的第一和第二接合面放置得分别与第一和第二垫片电导通接触,由此确定的电路的第二点火引脚,其包括被喷涂了金属的第一和第二接合面、第一和第二垫片和电桥;和(c)介电材料具有等于门限值电压的击穿电压,并被串接插到电路的第二点火引脚中,由此只有当施加其上的电压至少等于门限值电压时电路才能闭合;其中第一半导体电桥和第二半导体电桥在电路中的布置使各个电桥在连接时只能接收与另一电桥所接收的电压极性相反的电压。
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