[发明专利]分析材料成份的方法和装置无效
| 申请号： | 00807666.9 | 申请日： | 2000-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1354832A | 公开（公告）日： | 2002-06-19 |
| 发明（设计）人： | D·J·瓦利斯;A·M·凯尔;M·T·埃梅尼 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20;G01N23/207 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,梁永 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分析半导体材料的成份的方法,包括用能量源的能量辐射半导体材料,能量从该半导体材料衍射,检测衍射能量的一部分或多部分,并分析每个检测到的部分以获得一个表示每部分强度的参数,并利用对衍射能量部分的位置和/或强度的了解来确定半导体的化学成份。检测到的每部分衍射能量可以是从材料衍射的准禁止反射,可以是从材料衍射的(002)反射或(006)反射。对每部分衍射能量的检测可以在一个或多个检测角(9)处进行,或者在衍射能量源的所有反射/透射的角处进行,或在一个或多个角度的范围内进行。能量源可包括x射线管产生的x射线,可以用一个或多个检测器(4)检测衍射能量的每部分。 | ||
| 搜索关键词： | 分析 材料 成份 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种分析半导体材料的化学成份的方法，包括用能量源的能量辐射半导体材料，能量从该半导体材料衍射，检测衍射能量的一部分或多部分，并分析每个检测到的部分以获得一个表示每部分强度的参数，并利用对衍射能量部分的位置和/或强度的了解确定半导体的化学成份。
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