[发明专利]高质量单晶的制成方法及其装置有效
| 申请号： | 00807930.7 | 申请日： | 2000-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1351679A | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木孝友;森勇介;吉村政志 | 申请（专利权）人： | 科学技术振兴事业团 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B17/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在使籽晶(4)与坩埚(1)内加热熔解的原料溶液(2)相接触生长成单晶的方法中,采用在坩埚(1)内的原料溶液(2)中配置叶片体(5)或挡板体,边使坩埚(1)旋转边提升制成的方法,作为高质量、高性能的结晶,由高粘性的原料溶液(2)制成以CLBO为主的各种单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 质量 制成 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高质量单晶的制成方法，其特征是，在籽晶与坩埚内加热熔解的原料溶液接触生长成单晶的方法中，在坩埚内的原料溶液中配置叶片体或档板体，该叶片体或档板体不旋转而使坩埚边旋转边制成。
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