[发明专利]集电极朝上的射频功率晶体管及其制造方法

摘要

公开一种应用外延的台面结构并利用极少数量的掩模来制造低压高频硅功率晶体管的方法。并提供一种低压高频硅晶体管芯片(20)，它表现为一种外延台面工艺的硅功率器件。该硅晶体管布局表现为一种具有许多单台面集电极结构(21)的集电极朝上的器件。所述晶体管在工作时利用其衬底作为朝下的发射极，而且基极及集电极区连同焊片(23，25)一起朝上，由此通过采用发射极作为衬底来几乎完全地消除基极至集电极的寄生电容。此外还讲述了这种新结构的被减少的必要制造工艺步骤。

主权项

1.应用外延的台面结构并利用极少数量的掩模来制造低压高频硅功率晶体管的方法，其特征在于如下步骤：选择高掺杂的n+硅衬底(1)来形成晶体管发射极区；应用器件隔离方案来确定晶体管基极/集电极区的整个上部结构；为形成基极/集电极结构淀积一个p+硅基极层(5)、一个n-硅集电极层(6)、以及一个n+硅集电极接触层(7)；利用掩模(8，9)和通过向下腐蚀到所述将要构成基极区的层(5)来形成集电极台面；淀积低温绝缘氧化物层(12)和产生通往集电极及基极区的接触孔(13)；利用掩模朝下向接触孔(13)中形成第一和第二金属化层(16，17)，其中第一金属化层(16)在此互接所述的基极区，第二金属化层(17)在此互接所述的集电极区，而且淀积一种形成了窗口的钝化层(15)，以便进一步产生基极及集电极接触和用于相应基极及集电极金属化层的焊片。