[发明专利]具有低导通电阻的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 00808381.9 | 申请日： | 2000-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1360738A | 公开（公告）日： | 2002-07-24 |
| 发明（设计）人： | 理查德·A·布兰查德 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/225 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏,袁炳泽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种功率MOSFET,包含第一导电类型的衬底。也是第一导电类型的外延层淀积在衬底上。第一体区和第二体区位于外延层中,在其间限定漂移区。体区具有第二导电类型。第一导电类型的第一源区和第二源区分别位于第一体区和第二体区中。在外延层的漂移区中位于体区下面的多个沟槽。沟槽从第一体区和第二体区向衬底延伸,用包含第二导电类型的掺杂剂的材料填充沟槽。掺杂剂从沟槽扩散到与沟槽相邻的外延层的部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 高压 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种功率MOSFET，包括：第一导电类型的衬底；衬底上的外延层，所述外延层具有第一导电类型；位于外延层中的第一体区和第二体区，在它们之间限定了漂移区，所述体区具有第二导电类型；分别位于第一体区和第二体区中的第一导电类型的第一源区和第二源区；和在外延层的漂移区中，位于所述体区下面的多个沟槽，所述沟槽用具有第二导电类型的掺杂剂的材料填充，所述沟槽从第一体区和第二体区向衬底延伸，所述掺杂剂从所述沟槽扩散到与沟槽相邻的外延层的部分中。
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