[发明专利]采用各向异性湿法刻蚀的宽展沟槽的方法无效
| 申请号： | 00808596.X | 申请日： | 2000-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1354889A | 公开（公告）日： | 2002-06-19 |
| 发明（设计）人： | S·库德尔卡;A·米凯利斯;D·托本 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,陈霁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明,用于扩展沟槽(202)的方法包括以下步骤,在基片(200)内形成沟槽(202),用刻蚀剂刻蚀表面以提供载氢表面而将沟槽内表面备好,然后对沟槽的硅表面进行各向异性湿法刻蚀而使沟槽(202)扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 各向异性 湿法 刻蚀 宽展 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
1.扩展沟槽的方法，包括以下步骤：在基片内形成沟槽；在沟槽内用湿法刻蚀剂刻蚀其表面以提供载氢硅表面而将表面备好；和将沟槽的硅表面进行各向异性湿法刻蚀以使沟槽扩展。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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