[发明专利]氢化嵌段共聚物和由其生产的光盘有效
| 申请号： | 00808810.1 | 申请日： | 2000-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1148385C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | J·L·翰菲尔德;G·D·帕尔森斯;S·F·哈恩;M·A·琼斯 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术公司 |
| 主分类号： | C08F8/04 | 分类号： | C08F8/04;C08L53/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及由乙烯基芳烃和共轭二烯烃单体生产的氢化嵌段共聚物，该共聚物生产具有特别低双折射的光盘。 | ||
| 搜索关键词： | 氢化 共聚物 生产 光盘 | ||
【主权项】：
1.一种包括氢化嵌段共聚物的组合物，其中氢化嵌段共聚物包括至少两个不同的氢化的聚合乙烯基芳烃单体嵌段，这里称为氢化乙烯基芳烃聚合物嵌段，和至少一个氢化的聚合共轭二烯烃单体嵌段，这里称为氢化共轭二烯烃聚合物嵌段，其中该氢化嵌段共聚物的进一步特征在于：a)氢化共轭二烯烃聚合物嵌段与氢化乙烯基芳烃聚合物嵌段的重量比为40∶60至5∶95；b)总数均分子量Mnt为30,000至150,000，其中各氢化乙烯基芳烃聚合物嵌段(A)具有Mna6,000至60,000，各氢化共轭二烯烃聚合物嵌段(B)具有120个单体单元或更低的聚合物长度；和C)氢化程度应使各氢化乙烯基芳烃聚合物嵌段具有氢化程度大于90％和各氢化共轭二烯烃聚合物嵌段具有氢化程度大于95％。
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