[发明专利]一种半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 00808830.6 | 申请日： | 2000-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1355892A | 公开（公告）日： | 2002-06-26 |
| 发明（设计）人： | T·马丁;R·S·巴尔默;S·G·艾林;J·O·麦克莱恩;J·M·赫顿 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑建晖 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种半导体器件的制造方法,包括通过化学射束外延方法在支撑面上生长出至少一个带有锥度的外延层的步骤,锥度所处的平面倾斜于支撑面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括在支撑面上生长出至少一个有锥度的外延层的步骤，其特征在于，通过化学射束外延方法生长出至少一个所述有锥度的外延层，所述锥度平面倾斜于所述支撑面。
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