[发明专利]在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层有效
| 申请号： | 00809431.4 | 申请日： | 2000-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1164417C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 巴巴拉·E·兰迪尼;乔治·R·布兰德斯;迈克尔·A·蒂施勒 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | B32B7/00 | 分类号： | B32B7/00;B32B9/00;B32B18/00;C03B25/02;C01B31/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林潮;王维玉 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种碳化硅外延膜，其生长在六方晶体形式的SiC晶体基片的切基片晶向约6度到约10度的切割角。所得的碳化硅外延膜具有优良的形态和材料性能。 | ||
| 搜索关键词： | 1100 方向 切割 基片上 生长 碳化硅 外延 | ||
【主权项】：
1.一种外延SiC膜，该膜生长在具有六方晶体结构的SiC基片的切割面上，且该切割面具有约2度到约10度的切割角，切割面的结晶学方向是沿基片的六个等同<1100>方向中的其中之一±7.5度，其中所述的外延SiC膜包含一种在边缘禁区内具有光滑的表面形态的器件质量的SiC膜，且该器件质量的SiC膜在20×20μm2的面积上的均方根粗糙度不超过约2纳米。
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