[发明专利]高介电常数的金属氧化物薄膜无效
| 申请号： | 00809440.3 | 申请日： | 2000-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1358326A | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 林信一郎;维克拉姆·乔希;纳拉亚恩·索拉亚潘;约瑟夫·D·库奇阿罗;卡洛斯·A·帕斯德阿劳约 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L29/78;H01L27/115 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高介电常数绝缘体,包含选自以下的金属氧化物薄膜钨－青铜－型氧化物、烧绿石－型氧化物、以及Bi2O3与选自以下的氧化物的组合钙钛矿－型氧化物和烧绿石－型氧化物。一种实施方式含有化学计量通式AB2O6、A2B2O7和A2Bi2B2O10所代表的金属氧化物,其中A代表选自以下金属的A－位原子Ba、Bi、Sr、Pb、Ca、K、Na和La;并且B代表选自以下金属的B－位原子Ti、Zr、Ta、Hf、Mo、W和Nb。优选这些金属氧化物是(BaxSr1－x)(TayNb1－y)2O6,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0;(BaxSr1－x)2(TayNb1－y)2O7,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0和(BaxSr1－x)2Bi2(TayNb1－y)2O10,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。本发明的薄膜的相对介电常数≥40,优选为约100。本发明的金属氧化物的Vcc值接近0。Tcc值<1000ppm,优选<100ppm。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 金属 氧化物 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种含有非铁电的高介电常数绝缘体的集成电路，所述绝缘体包括选自以下的金属氧化物薄膜：钨-青铜-型氧化物、烧绿石-型氧化物、以及中间层氧化物与选自以下的氧化物的组合：钙钛矿-型氧化物和烧绿石-型氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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