[发明专利]磁控管负离子溅射源无效
| 申请号： | 00810085.3 | 申请日： | 2000-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1636076A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·金 | 申请（专利权）人： | 普拉斯米奥恩公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚;李晓舒 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 被披露的负离子源包括：电极；有比该电极更大负电势的靶；位于该电极和该靶之间的用于产生放电的电源；至少一块磁铁，放置该磁铁来限制电子，这些电子作为所述放电的结果，在紧密靠近该靶的第一个表面产生。该负离子源还包括：传送系统，用于将铯运送到该靶的第二个表面；分布小室，置于该传送系统和该靶之间，用于将铯均匀地分布到所述靶的第二个表面上。该铯通过该靶上的开口从上述第一个表面扩散到第二个表面。该负离子源可以包括传统的磁控管溅射源，对该传统磁控管溅射源进行了改进，包括了铯分布系统。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控管 负离子 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种负离子源，包括：电极；比所述的电极有更大负电势的靶；电源，用于在所述的电极和所述的靶之间产生放电；至少一块磁铁，放置该磁铁来产生限制电子的磁场，这些电子作为所述放电的结果，在紧密接近所述靶的第一个表面产生；传送系统，用于将铯运送到所述靶的第二个表面，所述的第二个表面与第一个表面相反；其中，所述靶还包括开孔，通过它们，所述的铯从所述的第二个表面扩散到所述的第一个表面，置于所述传送系统和所述靶之间的分布小室，用于将铯均匀地分布到所述靶的所述第二个表面上。
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