[发明专利]荫罩及其制造方法无效
申请号: | 00810341.0 | 申请日: | 2000-03-28 |
公开(公告)号: | CN1361920A | 公开(公告)日: | 2002-07-31 |
发明(设计)人: | 金正植 | 申请(专利权)人: | 金正植 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒,魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种通过电沉积技术制造的荫罩及其造方法。根据此荫罩制造方法,通过使用底板而制造了母荫罩,然后将母荫罩浸入如瓦特电解液的电沉积电解液中,形成高纯镍层以制造荫罩。根据本发明的荫罩包括其中形成有多个微孔的荫罩框;以及沿荫罩框的边缘与荫罩框形成整体的裙部,用于增强荫罩框。根据该荫罩制造方法,不用昂贵的构图和蚀刻装置就可以制造便宜而精确的荫罩。 | ||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种荫罩制造方法,包括步骤:用镍和脱模剂制造母荫罩;通过将包括镍和脱模剂的母荫罩浸没在电解液中并且电沉积母荫罩而形成荫罩;以及将荫罩与母荫罩分离,荫罩在该母荫罩中形成。
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