[发明专利]铜源试剂组合物,及其制造和用于微电子设备结构的方法无效

专利信息
申请号: 00810539.1 申请日: 2000-05-22
公开(公告)号: CN1361784A 公开(公告)日: 2002-07-31
发明(设计)人: 许从应;托马斯·H·鲍姆 申请(专利权)人: 高级技术材料公司
主分类号: C07F1/08 分类号: C07F1/08;B05D5/12;C23C16/18;H01B1/02;B32B15/20;H01L21/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王维玉,丁业平
地址: 美国康*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 液体供应CVD所用的铜前体,该CVD用于在衬底上形成含铜材料。所公开的铜前体对半导体设备结构中互连的金属化特别有用。
搜索关键词: 试剂 组合 及其 制造 用于 微电子 设备 结构 方法
【主权项】:
1.一种铜源试剂组合物,包含选自以下一组的至少一种铜前体:(a)具有下式的铜络合物(式I)其中,R’、R”相同或不同,并独立地选自由C1-C8非环烷基、芳基、氟芳基、C1-C8氟烷基,或C3-C6环烷基,和C3-C6环烷基及C3-C6氟环烷基组成的组;并且L是中性路易斯碱配体,其选自由(i)烯烃,(ii)炔烃,(iii)硅和(iv)含硫、氧和/或氮的有机配体组成的组;和(b)下式铜络合物:式(II)其中R1、R2、R3、R4和R5可相同或不同,并独立地选自由H、芳基、氟芳基、C1-C8非环烷基、C1-C8氟烷基或C3-C6环烷基组成的组,并且n为0、1、2或3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高级技术材料公司,未经高级技术材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00810539.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top