[发明专利]谐振器结构和包括这种谐振器结构的滤波器有效
| 申请号： | 00810575.8 | 申请日： | 2000-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1364339A | 公开（公告）日： | 2002-08-14 |
| 发明（设计）人： | J·凯蒂拉;M·伊利拉米;J·埃莱 | 申请（专利权）人： | 诺基亚有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H01L41/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,梁永 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种谐振器结构(1200,1300,1400),能够在其中用压电方式激励特定的波模,包括至少两个导体层(110,120)和这些导体层之间的至少一个压电层(110),所述导体层和压电层在谐振器结构的第一个区域上延伸,这第一个区域是谐振器结构中能够用压电方式激励的区域。谐振器结构的特征在于它有一个框状的区域(2,4)包围着第一个区域内的中心区域(3),框状区域的层结构内能够用压电方式激励的波模的截止频率不同于中心区域的层结构内的,框状区域的宽度和框状区域的层结构的声学特性使得跟能够用压电方式激励的最强谐振模有关的位移在谐振器的中心区域内基本上是均匀的。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 结构 包括 这种 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种谐振器结构(1200，1300，1400)，可以在其中用压电方式激励特定的波模，其中的谐振器结构包括至少两个导体层(110，120)和导体层之间的至少一个压电层(100)，所述导体层和压电层在谐振器结构的第一个区域上延伸，这里的第一个区域是谐振器结构中能够用压电方式进行激励的区域，其特征在于-这里的谐振器结构包括一个框状的区域(2，4)，它包围着一个中心区域(3)，-这个中心区域在谐振器结构的第一个区域内，-在框状区域的层结构中能够用压电方式激励的波模的截止频率不同于中心区域的层结构中能够用压电方式激励的波模的截止频率，和-框状区域的宽度和框状区域内层结构的声学特性使得跟能够用压电方式激励的最强谐振模有关的位移在谐振器中心区域内基本上是均匀的。
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