[发明专利]多晶硅化学气相沉积方法和装置

摘要

由化学气相沉积(CVD)工艺在管件上产生大块多晶硅。石英外壳(31)和底板(34)形成CVD反应器空间,由外辐射加热器(33)穿过反应器壁提供热量,气体进口(35)和出口(36)位于底板(34)上。管件(32),优选EFG硅管件垂直置于底板(34)上并加盖(43)闭合顶部作为反应室。沉积发生于室管(32)的内表面,沉积层的内径当沉积量积累时逐渐变小。在双管反应器中,直立中间管(46)被支撑于室管内使工艺气体越过中间管(46)上方及下方完全流通,从而使沉积得以发生在三个暴露的管表面上。

主权项

1、一种由化学气相沉积工艺生产大块多晶硅的方法，该方法包括下列步骤：使用可安装于水平反应器底板上的直立壁化学气相沉积反应器壳，所说底板具有入口和出口，每个所说口与所说壳的内部连通，将薄壁室管直立放置于所说底板上的所说壳中，从而与所说入口和所说出口连通，将所说室管的顶端封闭，从而形成反应室，使用辐射热源将包括任何沉积物层的所说室管的内表面提升到并维持在载气和硅反应材料选择性组合的沉积温度，将载有所说硅反应材料的所说载气通过所说气体入口流进所说反应室，并将所说化学气相沉积工艺的气相副产物通过所说出口流出所说反应室，从而在所说壁表面上沉积硅，将具有所说沉积层的所说室管从所说反应器壳取出。