[发明专利]用于降低半导体晶片中的波纹性的方法

摘要

本发明涉及一种利用等离子体辅助化学蚀刻技术降低半导体晶片的波纹性的方法。该方法包括在晶片的一个表面上的不连续点处独立于其相对表面测量表面轮廓、根据所测得的表面轮廓计算一个停留时间相对于位置的图以及利用等离子体辅助化学蚀刻技术从晶片的每一个表面上选择性地去除材料以降低晶片的波纹性。

主权项

1.一种利用等离子体辅助化学蚀刻技术降低具有正面和背面的半导体晶片的波纹性的方法，所述方法包括：在晶片正面上的不连续位置处相对于一个除背面以外的参考平面测量初始高度，以产生一个独立于背面的晶片正面轮廓图；根据一种所需的表面轮廓选择每一个不连续位置相对于所述参考平面的目标高度；确定在晶片正面上的每一个所述不连续的点处被去除的原料量以将初始高度降至目标高度，所述确定的方式包括利用一种按照初始高度和目标高度起作用的计算方法并且计算关于晶片正面的停留时间相对于位置的图以确定等离子体电极必须对晶片正面进行蚀刻的时间长度；以及根据停留时间相对于位置的图利用等离子体辅助化学蚀刻技术选择性地从晶片正面去除材料以使晶片正面成形到目标高度。