[发明专利]使用三层金属互连的闪存架构有效

专利信息
申请号: 00811962.7 申请日: 2000-07-14
公开(公告)号: CN1468435A 公开(公告)日: 2004-01-14
发明(设计)人: 科林·S·比尔;约拿森·徐辰·苏;瑞维·P·古特拉 申请(专利权)人: 先进微装置公司
主分类号: G11C8/00 分类号: G11C8/00;G11C16/08
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 戈泊;程伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明揭示一种内存字线译码器,包括多个与总x-译码器电连接的预译码地址线。次x-译码器与总x-译码器电连接,用以接收从总x-译码器来的电控制信号。内存区段与次x-译码器电连接。总x-译码器选择性地控制次x-译码器以选择于内存区段中的多个字线。垂直x-译码器与总x-译码器和次x-译码器电连接。垂直x-译码器于操作期间通过总x-译码器而用来选择预定的字线。
搜索关键词: 使用 三层 金属 互连 闪存 架构
【主权项】:
1.一种用于内存区段的内存字线译码器,包括:至少一个总x-译码器,此总x-译码器与多个预译码地址线电连接;至少一个次x-译码器,与该总x-译码器电连接,其中该总x-译码器选择性地控制该次x-译码器,反应于从该多个预译码地址线接收的信号,致能于该内存区段中的多个字线;和垂直x-译码器,与该总x-译码器和该次x-译码器电连接,其中该垂直x-译码器用来于该内存区段选择预定的字线。
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