[发明专利]用于开关式射频功率放大器的激励电路有效
| 申请号： | 00812057.9 | 申请日： | 2000-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1160850C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 温德尔·桑德;小厄尔·W·麦丘恩;罗纳德·A·迈克 | 申请（专利权）人： | 特罗皮亚恩公司 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一般而言，本发明提供一种RF放大电路体系结构，该结构能够在不使匹配网络和负载网络复杂化的情况下，获得高效率。有源设备可以是双极晶体管类型或FET(场效应晶体管)类型。提供各类有源设备的简单激励电路。根据本发明的一种实施方式，单端开关式RF放大器包括一个RF输入信号；一个具有控制终端的有源设备；和一个非谐振激励电路，用于接收RF输入信号并控制应用于控制终端的信号，以便以开关模式操作有源设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 开关 射频 功率放大器 激励 电路 | ||
【主权项】：
1.一种单端开关式RF放大器，包括：一个RF输入信号；双极开关晶体管，具有集电极、基极和发射极；以及一个激励电路，用于接收RF输入信号并控制加到控制终端的信号，以便以开关方式操作双极开关晶体管，该激励电路包含：双极激励晶体管，具有集电极、基极和发射极，将双极激励晶体管的发射极连接到双极开关晶体管的基极；和无源电抗元件，从双极激励晶体管的发射极连接到固定电压。
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