[发明专利]硅酸盐基烧结助剂方法无效
| 申请号： | 00813528.2 | 申请日： | 2000-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1377330A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·A·克什纳;戴维·V·米勒;凯瑟琳·A·思拉什;斯里德哈·维尼加拉 | 申请（专利权）人： | 卡伯特公司 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/628;C01B33/24;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉,贾静环 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅酸盐基烧结助剂和生产该烧结助剂的方法。可以将烧结助剂或熔块,包含钛酸钡基组合物,加入到介电组合物中以降低烧结温度。烧结助剂可以是通过将包含硅物质和碱土金属物质的溶液混合发生沉淀反应而制备的单组分硅酸盐或多组分硅酸盐。该烧结助剂可以制备成纳米粒径颗粒,或涂敷在预先成形的介电颗粒的表面上。在MLCCs中,可以使用包含烧结助剂的介电组合物形成介电层,特别是超薄型的介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸盐 烧结 助剂 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备烧结助剂的方法，包括：将含硅离子物质的第一溶液与含碱土金属离子物质的第二溶液混合；和使硅离子物质与碱土金属离子物质反应形成硅酸盐基烧结助剂。
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