[发明专利]沟槽深度检测和控制的方法及装置有效
| 申请号： | 00813644.0 | 申请日： | 2000-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1421045A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 兰德尔·S·蒙特 | 申请（专利权）人： | 拉姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示了一种用于光学地检测晶片中的沟槽深度的方法。该方法包括检测一多波长光的强度中的一第一最大值，该多波长光的一部分被一顶部沟槽表面反射而来检测一多波长光的强度中的一第二最大值，该多波长光的一部分被一底部沟槽表面反射而来。该方法进一步包括确定在该第一最大值与该第二个最大值之间的一最大峰值间距，该沟槽深度对应于该最大峰值间距。该方法提供了一种强健的、节省成本的沟槽深度检测方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 深度 检测 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光学地检测一沟槽深度的方法，该方法包括下列操作：检测一多波长光的强度中的一第一最大值，该多波长光的一部分被一顶部沟槽表面反射而来：检测一多波长光的强度中的一第二最大值，该多波长光的一部分被一底部沟槽表面反射而来；以及确定在该第一最大值与该第二个最大值之间的一最大峰值间距，该沟槽深度对应于该最大峰值间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
