[发明专利]用于离子注入器的高传输,低能量离子束管线结构有效
| 申请号： | 00813878.8 | 申请日： | 2000-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1377509A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·丽奥 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备联合公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/147 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 离子束装置包括离子源,第一磁铁组件,界定分辨孔的结构,和第二磁铁组件。离子源狭长的排出孔,用来产生带状离子束。第一磁铁组件提供第一磁场,用来偏转垂直于带状离子束横截面的长边的离子束,在第一磁场中将带状离子束中的不同种类的离子分离。分辨孔从分离的离子束中选取离子种类。第二磁铁组件提供第二磁场,用来偏转在平行于带状离子横截面的长边的离子束中所选取离子种类的离子,以产生在带状离子束中选取离子种类的所需离子轨迹。优选地,所需离子轨迹基本上是平行的。在通过大部分离子束管线时带状离子束的宽度是增加的。因此,低能量性能被加强。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 传输 能量 离子束 管线 结构 | ||
【主权项】：
1.一种离子束装置，包括：离子源，具有狭长的排出孔，用来产生带状离子束，所述的带状离子束具有长边的横截面；第一磁铁组件，提供第一磁场，用来偏转与所述带状离子束横截面的长边垂直的带状离子束，其中在所述带状离子束中的不同的离子被分离；界定分辨孔的结构，用来从分离的带状离子束中选取离子种类；以及第二磁铁组件，提供第二磁场，用来偏转带状离子束中平行于带状离子束横截面的长边的选取离子种类的离子，以产生所述带状离子束中选取的离子种类的所需离子轨迹。
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